Электрические свойства структур Pd-оксид-InP

С целью создания датчика водорода, способного эффективно работать при комнатной температуре, изготовлены МОП структуры Pd-анодный оксид-InP. Изучены механизмы проводимости структур при 100–300 K. Установлено, что оксид ведет себя как омическое сопротивление, а выпрямляющие свойства структур определяются потенциальным барьером на границе оксид-InP с термотуннельным механизмом проводимости. Структуры существенно изменяют свои характеристики в присутствии водорода в окружающей среде.