К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, А. И. Ижнин, И. И. Ижнин, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3,страницы 379

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

К. Д. Мынбаев^ab, А. В. Шиляев^a, Н. Л. Баженов^a, А. И. Ижнин^cd, И. И. Ижнин^c, Н. Н. Михайлов^e, В. С. Варавин^e, С. А. Дворецкий^ed

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Научно-производственное предприятие "Карат", г. Львов
^d Национальный исследовательский Томский государственный университет
^e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методом фотолюминесценции исследованы акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Сопоставление спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев, выращенных на подложках GaAs (CdHgTe/GaAs), со спектрами гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/Si показало, что специфическими для гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/GaAs являются акцепторные центры с энергией залегания около 18 и 27 мэВ. Обсуждается возможная природа обнаруженных состояний и ее связь с условиями синтеза гетероэпитаксиальных слоев и, в частности, с вакансионным легированием, происходящим в условиях дефицита ртути при эпитаксии и постростовой обработке.

Поступила в редакцию: 02.09.2014
Принята в печать: 08.09.2014