RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 406–412 (Mi phts7244)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe

Г. С. Хрипуновab, А. В. Пироговab, Т. А. Горсткаab, В. А. Новиковab, Н. А. Ковтунab

a Харьковский политехнический институт, 61002 Харьков, Украина
b Государственный университет им. Т. Шевченко, 03680 Киев, Украина

Аннотация: C целью оптимизации конструктивно-технологических решений фронтальных электродов были проведены сопоставительные исследования выходных параметров и световых диодных характеристик пленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и SnO$_2$ : F/CdS/CdTe/Cu/Au. Установлено, что большее напряжение и больший фактор заполнения солнечных элементов при использовании в конструкции пленок SnO$_2$ : F обусловлены меньшими значениями плотности диодного тока насыщения и последовательного сопротивления, что обусловлено устойчивостью кристаллической структуры и электрических свойств этих пленок к “хлоридной” обработке базового слоя при изготовлении приборной структуры. В то же время солнечные элементы с фронтальным электродом ITO имеют большую плотность тока короткого замыкания, что обусловлено большим средним коэффициентом пропускания слоев ITO. Использование в конструкции фронтальных контактов ITO наноразмерных слоев SnO$_2$ позволяет увеличить эффективность солнечных элементов на основе CdS/CdTe до 11.4% за счет стабилизации кристаллической структуры и электрических свойств пленок ITO, а также возможности снижения толщины слоя сульфида кадмия без шунтирования приборной структуры.

Поступила в редакцию: 08.04.2014
Принята в печать: 16.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 394–400

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025