RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 588–592 (Mi phts7278)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Рассеяние электронов в $\Delta_1$-модели зоны проводимости монокристаллов германия

С. В. Лунев, О. В. Бурбан, П. Ф. Назарчук

Луцкий национальный технический университет

Аннотация: Исследовано рассеяние электронов в возможных $\Delta_1$-моделях зоны проводимости кристаллов германия, созданных гидростатическим или одноосным давлением. На основании теории анизотропного рассеяния получены температурные зависимости параметра анизотропии времен релаксации и подвижности электронов для этих моделей в условиях рассеяния на ионах примеси, акустических и междолинных фононах. Анализ температурных зависимостей указывает, что в температурном интервале 77–300 K существенным становится междолинное рассеяние. Только для $\Delta_1$-модели, созданной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100], рассеяние электронов на междолинных фононах, которые соответствуют $g$-переходам, является второстепенным по отношению к рассеянию на акустических фононах (внутридолинное рассеяние) и ионах примеси.

Поступила в редакцию: 28.07.2014
Принята в печать: 17.10.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 574–578

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025