Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS, подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэВ

Методами комбинационного рассеяния света и резерфордовского обратного рассеяния исследована степень структурного беспорядка слоистых кристаллов GaS до и после имплантации водородом (H$^+_2$) с энергией 140 кэВ. Показано, что распределение компонентов кристалла по глубине однородно и до доз 5 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$ стехиометрический состав компонентов соединения соблюдается. Экспериментальное значение критической дозы начала аморфизации составляет около 5 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$ и находится в соответствии с вычисленным значением. Результаты, полученные методом комбинационного рассеяния света, подтверждают сохранение кристалличности структуры и начала процесса аморфизации.