Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe

Исследованы фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe, изготовленных путем пульверизации спиртового раствора хлорида индия на нагретые подложки GaTe. Результаты исследований температурных зависимостей вольт-амперных характеристик полученных гетеропереходов позволили определить механизмы токопрохождения через барьер. Построены энергетические зонные диаграммы гетероперехода. Установлено, что гетеропереход $n$-ITO/$p$-GaTe обладает фоточувствительностью в диапазоне 0.35–0.73 мкм.