Моделирование процессов образования радиационных дефектов в гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)/Si(001) при облучении нейтронами

Разработана программа TRISQD для компьютерного моделирования процессов образования радиационных дефектов при корпускулярном облучении полупроводниковых гетероструктур с нановключениями линзообразной формы. С ее помощью исследованы процессы дефектообразования в $p$–$i$–$n$-диодах с встроенной в $i$-область 20-периодной решеткой самоформирующихся наноостровков Ge(Si) при облучении быстрыми нейтронами. Установлено, что доля наноостровков Ge(Si), в которых после попадания каскадов атомных смещений образуются точечные радиационные дефекты, составляет $\le$ 3% от их полного числа в решетке. Более 94% дефектов локализованы в объеме $p$-, $n$-, $i$-областей диода и слоях кремния, разделяющих слои наноостровков Ge(Si).