Особенности одноосной упругой деформации кристаллов $p$-Si, облученных рентгеновскими лучами

Исследовались изменения электропроводности облученных при комнатной температуре монокристаллических образцов $p$-Si в процессе их сжатия и снятия механической нагрузки. Установлено, что облучение сопровождается генерацией точечных дефектов в кремнии, которые играют роль стопоров для движения дислокаций. Обнаружен эффект “радиационной памяти” в кристаллах “электронного” кремния.