RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 644–647 (Mi phts7289)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия

В. В. Ушаков, Ю. В. Клевков, В. А. Дравин

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследованы особенности ионной имплантации поликристаллического теллурида кадмия с размерами зерен 20–1000 мкм. Выбор Er для имплантации связан с возможностью использования редких земель в качестве люминесцентных “зондов” при изучении примесно-дефектного состава материалов и его изменении при различных технологических обработках. По данным микрофотолюминесценции обнаружено, что по мере уменьшения размеров кристаллических зерен значительно увеличивается радиационная “стойкость” материала. Микрофотолюминесцентная топография образцов показала эффективность люминесцентного редкоземельного “зонда” для выявления в образцах областей с повышенной концентрацией примесей и дефектов, в том числе мезеренных границ.

Поступила в редакцию: 07.10.2014
Принята в печать: 20.10.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 630–633

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025