В. Р. Регель, Е. А. Степанцов, А. Я. Цаленчук, М. Е. Кишнева, А. Б. Барбой, А. Б. Товмасян, А. Л. Васильев, “Распределение электропроводности в окрестности границы твердофазного сращивания $p{-}n$-бикристаллов”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 6,страницы 977

Распределение электропроводности в окрестности границы твердофазного сращивания $p{-}n$-бикристаллов

В. Р. Регель, Е. А. Степанцов, А. Я. Цаленчук, М. Е. Кишнева, А. Б. Барбой, А. Б. Товмасян, А. Л. Васильев

Аннотация: На бикристаллах кремния, полученных твердофазным сращиванием монокристаллов, имеющих противоположный тип проводимости, исследовано распределение электропроводности с разрешением в 0.4 мкм в окрестности границы твердофазного сращивания. Показано, что в окрестности данной границы находятся два пика электропроводности. Один совпадает со структурной границей твердофазного сращивания, второй обусловлен $p{-}n$-переходом, смещенным от нее в сторону монокристалла с меньшей концентрацией электрически активной примеси.