Геометризация динамической структуры переходного фотоотклика халькогенидов цинка

Представлен геометрический подход к выявлению характеристических признаков фотоотклика полупроводниковых сенсорных материалов. На примере кристаллов халькогенидов цинка показано, что при преобразовании их переходного фотоотклика в сигнатуры 1-го и 2-го порядков осуществляется естественная декомпозиция переходного фотоотклика на геометрически упорядоченные составляющие. Для системного анализа упорядоченности динамической структуры фотоотклика применены универсальные дифференциально-геометрические параметры и показатели, которые применимы и для других характеристик полупроводниковых сенсорных материалов.