Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs

Методом капельной эпитаксии выращены образцы эпитаксиальных структур с квантовыми кольцами GaAs/AlGaAs различной морфологии. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 20–90 и 300 K, обнаружены интенсивные пики в оптическом диапазоне, связанные с размерным квантованием энергии носителей в квантовых кольцах. Принадлежность пиков установлена оценочным расчетом энергии основного состояния электронов и дырок в квантовых кольцах GaAs, а также измерением спектров образцов после стравливания слоев с квантовыми кольцами. Средние размеры квантовых колец определены методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения эпитаксиальных структур с квантовыми кольцами.