RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 658–662 (Mi phts7292)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe

Н. Н. Новиковаa, В. А. Яковлевa, И. В. Кучеренкоb, G. Karczewskic, Ю. А. Алещенкоbd, А. В. Муратовb, Т. Н. Заварицкаяb, Н. Н. Мельникb

a Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190 Троицк, Москва, Россия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Измерены коэффициенты отражения наноструктур PbTe/CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой элитаксии, в интервале частот 20–5000 см$^{-1}$ при комнатной температуре. Из дисперсионного анализа определены толщины слоев PbTe и CdTe, высокочастотные диэлектрические проницаемости слоев и частоты поперечных оптических (TO) фононов. Обнаружено, что во всех исследуемых образцах существуют две частоты TO фононов, равные 28 и 47 см$^{-1}$. Первая частота близка к частоте TO фонона объемного PbTe, вторую частоту мы связываем с оптической модой в структурно деформированном слое на интерфейсе. Измерены спектры комбинационного рассеяния света при возбуждении излучением Ar$^+$-лазера с длиной волны 514.5 нм при комнатной и азотной температурах. Обнаружена мода при частоте 106 см$^{-1}$, которую мы связываем с продольным оптическим (LO) фононом в слое на интерфейсе.

Поступила в редакцию: 20.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014

DOI: 24195175


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:5, 644–648


© МИАН, 2025