Электрические и фотоэлектрические свойства $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой в $n^{0}$-области

Приведены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств арсенид-галлиевых $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур с встроенной металлической сеткой из вольфрама в $n^{0}$-области.
Структуры были получены эпитаксиальным наращиванием $n^{0}$-GaAs MOC гидридным методом. Металлическая сетка из вольфрама имела толщину 300 Å, ширину 0.2$-$0.3 мкм и шаг ${\sim1}$ мкм. Изучены световые выходные статические вольтамперные характеристики $n^{+}{-}n^{0}{-}W{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур, их температурная зависимость.
Показано, что коэффициент усиления фототока в области малых уровней освещенности лежал в пределах $10^{2}{-}10^{3}$ и с ростом уровня освещенности, начиная с ${P\simeq(10^{-6}{-}10^{-7})}$ Вт, резко уменьшался.