Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. З. Шварц, Е. П. Марухина, В. П. Хвостиков, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5,страницы 715

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур

Р. В. Левин^ab, А. Е. Маричев^ac, М. З. Шварц^a, Е. П. Марухина^a, В. П. Хвостиков^a, Б. В. Пушный^ab, М. Н. Мизеров^b, В. М. Андреев^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты разработки технологии МОС-гидридной газофазной эпитаксии и исследований электрофизических параметров фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения на основе гетероструктур в системе InP/InGaAsP для спектрального диапазона 0.95–1.2 мкм. Разработана технология МОС-гидридной газофазной эпитаксии получения и легирования твердых растворов InGaAsP вблизи области спинодального распада с шириной запрещенной зоны около 1.0 эВ и изготовлены фотоэлектрические преобразователи 1000-кратного концентрированного солнечного излучения.

Поступила в редакцию: 11.11.2014
Принята в печать: 17.11.2014