RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 721–727 (Mi phts7302)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Электронные свойства полупроводников

Низкотемпературная проводимость кремния легированного сурьмой

А. К. Федотовa, И. А. Свитоa, В. В. Федотоваb, А. Г. Трафименкоc, А. Л. Данилюкc, С. Л. Прищепаc

a Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Белоруссия
b Научно-практический центр Hациональной aкадемии наук Белорусии (НАНБ) по материаловедению, 220078 Минск, Белоруссия
c Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия

Аннотация: Проведен детальный анализ экспериментальных температурных зависимостей удельного сопротивления легированного сурьмой кремния с концентрацией примеси 10$^{18}$ см$^{-3}$ в области 1.8 $<T<$ 25 K. Показано, что при охлаждении ниже температуры 4.5 K наблюдается переход от режима Мотта с переменной длиной прыжка к режиму прыжковой проводимости через ближайших соседей, а при $T<$ 2.5 K – возможный переход к механизму Шкловского–Эфроса. Предложена модель такого температурного кроссовера, основанная на упрощенном решении задачи протекания с использованием интерполяционного выражения для плотности состояний. Проведенные оценки показали удовлетворительное согласие модели с экспериментальными данными при использовании минимального числа подгоночных параметров.

Поступила в редакцию: 04.09.2014
Принята в печать: 22.10.2014

DOI: 10.1134/S1063782615060093


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 705–711

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025