RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 804–809 (Mi phts7318)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения

В. А. Кукушкинab, Н. В. Байдусьbc, А. В. Здоровейщевc

a Институт прикладной физики РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Разработан метод диагностики эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе металл–полупроводник активными квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходящего излучения. Он заключается в экспериментальном нахождении отношения интенсивности этого излучения с ортогональной к плоскости наногетероструктуры поляризацией к аналогичной величине с лежащей в этой плоскости поляризацией при двух различных расстояниях от слоя квантовых точек до границы металл–полупроводник. По результатам этих измерений определяются все неизвестные параметры в построенной в данной работе математической модели, позволяющей вычислить скорость возбуждения активными квантовыми точками поверхностных плазмон-поляритонов. В результате эта скорость может быть найдена без использования дорогостоящего и громоздкого оборудования для измерения малых времен.

Поступила в редакцию: 30.06.2014
Принята в печать: 14.11.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:6, 785–790

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025