Е. Д. Мишина, Н. Э. Шерстюк, А. П. Шестакова, С. Д. Лавров, С. В. Семин, А. С. Сигов, А. Митиоглу, С. Ангел, Л. Кулюк, “Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6,страницы 810

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов

Е. Д. Мишина^a, Н. Э. Шерстюк^a, А. П. Шестакова^a, С. Д. Лавров^a, С. В. Семин^ab, А. С. Сигов^a, А. Митиоглу^cd, С. Ангел^ce, Л. Кулюк^c

^a Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, 119454 Москва, Россия
^b Radboud University Nijmegen, Institute for Molecules and Materials, 6500 Nijmegen, The Netherlands
^c Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, MD-2028 Chisinau, Republic of Moldova
^d Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, 31400 Toulouse, France
^e Ruhr-Universitat Bochum, Anorganische Chemie III, D-44801 Bochum, Germany

Аннотация: В работе приведены результаты исследования оптических свойств наноразмерных по толщине монокристаллов полупроводниковых соединений MoS$_2$ : Cl$_2$ и WS$_2$ : Br$_2$. В микроскопических изображениях, полученных на длине волны второй гармоники (400 нм) обнаружены краевые эффекты, заключающиеся в усилении или ослаблении интенсивности сигнала второй гармоники. В отличие от предложенных ранее интерференционных механизмов краевых эффектов, рассмотрены неинтерференционные механизмы. Возникновение краевых эффектов связано либо с повышенной концентрацией молекул галогенов Cl$_2$ и Br$_2$, либо с электроиндуцированной второй гармоники, возникающей вследствие изгиба зон на краях отдельных слоев кристаллов.

Поступила в редакцию: 16.12.2014
Принята в печать: 22.12.2014