RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 899–903 (Mi phts7329)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Электронные свойства полупроводников

Магнитная структура в халькогенидах TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$

Э. Б. Аскеровab, N. T. Dangc, А. И. Бескровныйa, А. И. Мададзадаad, Д. И. Исмаиловd, Р. Н. Мехдиеваb, S. H. Jabarovde, Э. М. Керимоваd

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
b Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
c Institute of Research and Development, Duy Tan University, 550000 Da Nang, Viet Nam
d Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, АZ-1143 Баку, Азербайджан
e Bayerisches Geoinstitut, Universitet Bayreuth, D-95440 Bayreuth, Germany

Аннотация: Кристаллическая и магнитная структура TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$ исследованы методом нейтронной дифракции в температурном диапазоне 10–300 K. Данные соединения обладают моноклинной кристаллической симметрией с пространственной группой $C2/m$. Возникновение антиферромагнитного упорядочения происходит при температуре Нееля $T_\mathrm{N}$ = 210(5) и 295(5) K для TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$ соответственно. Получены температурные зависимости магнитных моментов, длин связей Fe–Fe и объема элементарной ячейки. Рассчитаны коэффициенты температурного расширения для парамагнитной и антиферромагнитной фаз.

Поступила в редакцию: 19.08.2014
Принята в печать: 23.09.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 879–882

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025