М. М. Гаджиалиев, Р. Р. Баширов, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, Х. Медге, К. Филар, “Термоэдс $n$-InSb в поперечном квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7,страницы 904

Электронные свойства полупроводников

Термоэдс $n$-InSb в поперечном квантующем магнитном поле

М. М. Гаджиалиев^a, Р. Р. Баширов^a, З. Ш. Пирмагомедов^a, Т. Н. Эфендиева^a, Х. Медге^b, К. Филар^b

^a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
^b Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур (ILHMFLT), Вроцлав, Польша

Аннотация: Исследована термоэдс электронного антимонида индия при 80 K в поперечном магнитном поле до 14 Tл. Установлено, что в квантующем магнитном поле экспериментальные результаты согласуются с теоретическими данными, полученными без учета спинового расщепления уровней Ландау.

Поступила в редакцию: 18.09.2014
Принята в печать: 18.11.2014