П. А. Иванов, А. С. Потапов, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, А. В. Афанасьев, А. А. Романов, Е. В. Осачев, “Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8,страницы 1061

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN

П. А. Иванов^a, А. С. Потапов^a, А. Е. Николаев^ab, В. В. Лундин^ab, А. В. Сахаров^ab, А. Ф. Цацульников^ab, А. В. Афанасьев^c, А. А. Романов^c, Е. В. Осачев^c

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Измерены и проанализированы вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN. Пленки GaN $n$-типа проводимости выращены на сапфировых подложках с ориентацией (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Оксид алюминия толщиной 60 нм нанесен на поверхность GaN методом атомно-слоевого осаждения из газовой фазы. Металлические контакты напылены электронно-лучевым испарением титана и алюминия в вакууме. По данным измерений напряженность поля пробоя оксида, относительная диэлектрическая проницаемость оксида и интегральная плотность электронных состояний на границе раздела оксид – полупроводник составляют 5 $\cdot$ 10$^6$ В/см, 7.5 и 3 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ соответственно.

Поступила в редакцию: 02.02.2015
Принята в печать: 10.02.2015