Влияние условий взаимодействия зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs на эффект трибоэлектризации

Исследована трибоэлектризация $n$-GaAs в результате сканирования по поверхности зонда атомно-силового микроскопа в контактном режиме. Получены зависимости локального изменения потенциала от скорости сканирования и силы прижима зонда. Результаты объясняются созданием точечных дефектов в приповерхностных слоях образцов под влиянием деформации этих слоев при сканировании зонда. Заряд, локализующийся на этих дефектах в равновесии, изменяет потенциал поверхности, подвергнутой трибоэлектризации. Показано, что для качественного объяснения наблюдающихся зависимостей необходимо учитывать как генерацию, так и аннигиляцию дефектов в области, подвергающейся деформации.