RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1088–1094 (Mi phts7364)

Углеродные системы

Термоэлектрический транспорт в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке

З. З. Алисултановabc, Н. А. Мирзегасановаc

a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
c Дагестанский государственный университет, 367000 Махачкала, Россия

Аннотация: В рамках простой аналитической модели мы исследовали термоэлектронный транспорт в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованных металлической и полупроводниковой пленок. Исследованы проводимость и термоэдс эпитаксиального графена. Показано, что в такой системе имеются кинки проводимости и пики термоэдс (в несколько раз большие, чем в случае изолированного графена). Проводится сравнение со случаями двумерной и трехмерной подложек.

Поступила в редакцию: 09.01.2014
Принята в печать: 22.12.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1062–1068

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025