Тензосопротивление кристаллов $n$-Ge и $n$-Si при наличии радиационных дефектов

Исследованы изменения тензосопротивления в $\gamma$-облученных ($^{60}$Со) кристаллах $n$-Ge$\langle$Sb$\rangle$ и $n$-Si$\langle$As$\rangle$ при фиксированных температурах в условиях наложения одноосной упругой деформации (0 $\le X\le$ 1.2 ГПа) вдоль главных кристаллографических направлений. Обнаружено при несимметричном расположении оси деформации относительно изоэнергетических эллипсоидов наличие максимума на зависимостях тензосопротивления $\rho_X/\rho_0 = f (X)$ и предложено объяснение природы полученного эффекта. Выявлено тензосопротивление в необлученных кристаллах $n$-$\langle$As$\rangle$ при симметричном размещении оси деформации относительно всех изоэнергетических эллипсоидов, величина которого уменьшается при $\gamma$-облучении. Показано, что этот эффект можно объяснить изменением подвижности электронов в зоне проводимости вследствие роста поперечной эффективной массы и возникновением новых глубоких центров под действием облучения соответственно.