RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1169–1174 (Mi phts7376)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Оптические свойства ионно-легированных слоев ZnO(Se) с позиций теории антипересекающихся зон

Н. К. Морозоваa, В. Г. Галстянb, А. О. Волковa, В. Е. Мащенкоc

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», 111250 Москва, Россия
b Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия
c Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва, 119071 Москва, Россия

Аннотация: Изучение оптических свойств ZnO(Se) продолжает наши исследования систем ZnS(O), ZnSe(O), CdS(O) в контексте теории антипересекающихся зон. Имплантация ионами селена была проведена до концентрации 10$^{20}$ см$^{-3}$ в кристаллы ZnO высокой чистоты. Cпектры микрокатодолюминесценции, измеренные в растровом электронном микроскопе при температуре 100 K, давали информацию из объема имплантированного слоя. Выяснена природа оранжево-красной люминесценции слоев ZnO(Se)-Zn как результат образования HMAs системы, в которой ZnSe(O) возникает в процессе имплантации и радиационного отжига. Представлены данные, свидетельствующие о том, что природа зеленой люминесценции чистого “самоактивированного” ZnO–Zn является SA свечением, которое детально изучено на других соединениях A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ (ZnS(O), ZnSe(O)) и определяется комплексами собственных дефектов – А-центрами.

Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:9, 1134–1139

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025