Влияние пластической деформации на магнитные свойства и дислокационную люминесценцию изотопно-обогащенного кремния $^{29}$Si:B

Обнаружена корреляция температурных зависимостей интенсивности линии $D1$ дислокационной люминесценции и магнитного момента пластически деформированных изотопно-обогащенных кристаллов $^{29}$Si:B. Установлено, что магнитная восприимчивость деформированных кристаллов, полученная интегрированием спектров электронного парамагнитного резонанса, и интенсивность линии $D1$ претерпевают схожие немонотонные вариации при изменении температуры в диапазоне 20–32 K.