RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1180–1183 (Mi phts7378)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu$_2$ZnSn(S$_x$Se$_{1-x}$)$_4$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия

Аннотация: На монокристаллах соединений Cu$_2$ZnSnS$_4$, Cu$_2$ZnSnSе$_4$ и твердых растворах Cu$_2$ZnSn(S$_x$Se$_{1-x}$)$_4$, выращенных методом химических газотранспортных реакций, исследованы спектры пропускания в области края основной полосы поглощения. По зарегистрированным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и твердых растворов на их основе, а также построены ее концентрационные зависимости. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом $x$ изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.

Поступила в редакцию: 02.02.2015
Принята в печать: 19.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:9, 1145–1148

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025