RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1184–1188 (Mi phts7379)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия

Е. А. Форшab, П. А. Форшac, П. К. Кашкаровabcd

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
b Факультет нано-, био-, информационных и когнитивных технологий Московского физико-технического института, 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
d Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, 199034 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и стационарной фотопроводимости, а также изучена релаксация фотопроводимости после отключения освещения пленок нанокристаллического оксида индия (In$_2$O$_3$), синтезированных золь-гель методом. В зависимости от условий получения образцов варьировался средний размер нанокристаллов в них: наименьший средний размер нанокристаллов составлял 7–8 нм, наибольший – 39–41 нм. Из анализов оптических спектров поглощения и спектральной зависимости фотопроводимости определена оптическая ширина запрещенной зоны исследованных образцов In$_2$O$_3$. Обнаружено, что в нанокристаллическом In$_2$O$_3$ оптическая ширина запрещенной зоны заметно меньше оптической ширины запрещенной зоны в монокристаллическом In$_2$O$_3$. Изучены кинетики спада фотопроводимости в нанокристаллическом In$_2$O$_3$ в воздухе, вакууме и аргоне при комнатной температуре. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый спад фотопроводимости.

Поступила в редакцию: 17.02.2015
Принята в печать: 25.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:9, 1149–1153

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025