Гальваномагнитные низкотемпературные исследования чистого германия при собственном фотовозбуждении

Статья посвящена вопросам разогрева носителей заряда электрическим полем в чистом Ge (концентрация примесей $(N_a+N_g)\le$ 5 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-3}$) при межзонном подсвете. При такой генерации необходимо учитывать наличие двух типов свободных носителей заряда. При этом соотношение между концентрациями электронов и дырок в значительной мере зависит от величины электрического поля, так как оно по-разному влияет на коэффициенты рекомбинации носителей, приводя к новым эффектам. В работе изложены экспериментальные исследования проводимости $\sigma$ и постоянной Холла $R_H$ в $n$- и $p$-Ge при $T$ = 4.2 K и разных интенсивностях собственного фотовозбуждения. Для объяснения результатов рассматривается модель межзонной рекомбинации, учитывающая глубокие примесные центры.