Электрический пробой в чистом $n$- и $p$-Ge при межзонном фотовозбуждении

Представлены результаты исследования низкотемпературного примесного электрического пробоя $E_{\mathrm{thr}}$ в чистом $n$- и $p$-Ge при собственном фотовозбуждении разной интенсивности. Ожидалось, исходя из модели рекомбинации свободных носителей заряда через глубокие примесные центры, что величина $E_{\mathrm{thr}}$ в этих условиях будет одинаковой для образцов разного типа проводимости и не будет зависеть от степени компенсации образцов. Однако эксперименты показали, что поле пробоя не зависит от интенсивности подсвета и равно темновому значению. Предложено качественное объяснение наблюдаемому эффекту.