Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)

Проведено исследование процесса компенсации слабо легированных образцов $p$-4H-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксии, при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ. Измеренные скорости удаления носителей составили 1.2–1.6 см$^{-1}$ для электронов и 240–260 см$^{-1}$ для протонов. При этом зависимость измеряемой концентрации нескомпенсированных акцепторов и доноров с увеличением дозы облучения уменьшалась линейно вплоть до полной компенсации. Такой характер зависимости показывает, что компенсация образцов обусловлена переходом носителей заряда на глубокие центры, образованные первичными радиационными дефектами. Показано, что в слаболегированном $p$-SiC (CVD), в отличие от $n$-SiC (CVD), первичные дефекты только в подрешетке углерода не могут объяснять процесс компенсации. В $p$-SiC за компенсацию проводимости отвечают либо первичные дефекты в подрешетке кремния, либо дефекты в обеих подрешетках. Также было проведено исследование спектров фотолюминесценции в зависимости от дозы облучения.