Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов

Исследуются естественные неоднородности электрического потенциала на поверхности полупроводника в условиях частичной самоорганизации электрически активных дефектов – формирования в слоях обеднения донорно-акцепторных ионных пар. Определены амплитуда и характер пространственного распределения хаотического потенциала на поверхности полупроводника в случаях локализованных и делокализованных поверхностных состояний. Получена зависимость амплитуды хаотического потенциала от уровня компенсации полупроводника.