В. Я. Алешкин, “Каскадный захват электронов на доноры в квантовых ямах GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9,страницы 1233

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Каскадный захват электронов на доноры в квантовых ямах GaAs

В. Я. Алешкин^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Вычислено прицельное расстояние каскадного захвата электрона на заряженный донор в квантовых ямах GaAs. Предложено простое аналитическое выражение для его приближенного описания. Найдена зависимость прицельного расстояния от температуры при рассеянии электрона на пьезоэлектрическом потенциале акустических фононов.

Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 25.02.2015