Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, Г. Б. Галиев, И. П. Казаков, А. В. Червяков, “Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9,страницы 1238

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Л. П. Авакянц^a, П. Ю. Боков^a, Г. Б. Галиев^b, И. П. Казаков^c, А. В. Червяков^a

^a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия
^b Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 113105 Москва, Россия
^c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Методом спектроскопии фотоотражения исследованы гетероструктуры на основе GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами шириной от 20 до 35 нм. Установлено, что параметр уширения спектральных линий, связанных с межзонными переходами, увеличивается с ростом энергии межзонного перехода и уменьшается с увеличением ширины квантовой ямы. Наблюдаемое уменьшение ширины спектральных линий с ростом ширины квантовой ямы связывается с пространственной неоднородностью гетерограниц, которая для исследованных структур составила 0.34–0.39 нм (1.3–1.4 монослоя).

Поступила в редакцию: 17.02.2015
Принята в печать: 25.02.2015