Люминесценция дефектов в кремниевых $p^+$–$n$-переходах

Исследуются сверхмелкие $p^+$–$n$-переходы, полученные в рамках кремниевой планарной технологии, основанной на кратковременной неравновесной диффузии бора из газовой фазы в подложки $n$-Si (100) после их предварительного окисления и вскрытия окон в SiO$_2$ с помощью электронной литографии и реактивного ионного травления. Измеренные спектры электро- и фотолюминесценции демонстрируют излучение в диапазоне 1–1.6 мкм, что свидетельствует о наличии большой концентрации дефектов, возникающих, вероятно, вследствие аморфизирующего действия ионов на стадии травления.