RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1273–1277 (Mi phts7395)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние поверхностной модификации катализаторами на газовую чувствительность пленок SnO$_2$+3% SiO$_2$

С. И. Рембезаa, Е. С. Рембезаa, Н. Н. Кошелеваa, В. М. Аль Тамеемиb

a Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия
b University of Diyala, Daila, Republic Iraq

Аннотация: Тонкие пленки SnO$_2$+3% SiO$_2$ (250 нм), изготовленные методом магнетpонного распыления в контролируемой атмосфере Ar+O$_2$, использованы в качестве сенсорных элементов в датчике газов, изоготовленном по микроэлектронной технологии. Датчик содержит два чувствительных элемента, один из которых использовался как контрольный, а на поверхность второго наносился водный раствор (3, 6, 9, 12 ммоль) нитрата серебра Ag(NO$_3$) или хлорида палладия PdCl$_2$. Установлено, что поверхностная модификация катализаторами снижает температуру максимальной газовой чувствительности SnO$_2$+3% SiO$_2$ на 100–200$^\circ$C, а в некоторых случаях также и увеличивает величину максимальной газовой чувствительности в несколько раз.

Поступила в редакцию: 15.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:9, 1237–1241

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025