RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 9, страницы 1278–1281 (Mi phts7396)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Характеризация автоэмиссионных катодов на основе пленок графена на SiC

Р. В. Конаковаa, О. Б. Охрименкоa, А. М. Светличныйb, О. А. Агеевb, Е. Ю. Волковb, А. С. Коломийцевb, И. Л. Житяевb, О. Б. Спиридоновc

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
b Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, 347900 Таганрог, Россия
c Южный лазерный инновационно-технологический центр, 347900 Таганрог, Россия

Аннотация: Проведена оценка свойств острийного автоэмиссионного катода, представляющего собой структуру, выполненную в виде острия из карбида кремния, покрытого тонкой пленкой графена. Для острийного катода с графеновым покрытием построены вольт-амперные характеристики в координатах Фаулера–Нордгейма, по наклону которых были рассчитаны величины работы выхода $\varphi$ из острийного катода. Показана возможность формирования на острийной поверхности сильно легированного $n^+$-SiC методом сублимации низкопороговых автоэмиссионных катодов с низкими пороговыми величинами электрического поля и тока автоэлектронной эмиссии.

Поступила в редакцию: 04.02.2014
Принята в печать: 19.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:9, 1242–1245

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025