RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1355–1359 (Mi phts7408)

Эта публикация цитируется в 24 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Энергии связи экситона из пространственно разделенных электрона и дырки в диэлектрических квантовых точках

С. И. Покутнийa, Ю. Н. Кульчинb, В. П. Дзюбаb

a Институт химии поверхности им. А. А. Чуйко НАН Украины, 03164 Киев, Украина
b Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, 690042 Владивосток, Россия

Аннотация: Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи (почти на 2 порядка) основного состояния экситона из пространственно разделенных электрона и дырки (дырка движется в объеме квантовой точки, а электрон локализован над сферической поверхностью раздела $\langle$квантовая точка$\rangle$$\langle$диэлектрическая матрица$\rangle$) в наносистемах, содержащих диэлектрические квантовые точки оксида алюминия, относительно энергии связи экситона в монокристалле Al$_2$O$_3$. Установлено, что в запрещенной зоне наночастицы Al$_2$O$_3$ возникает зона, обусловленная экситонными состояниями (из пространственно разделенных электрона и дырки). Показана возможность по спектрам поглощения наносистемы экспериментально обнаружить при комнатных температурах существование основного и возбужденных экситонных состояний в запрещенной зоне наночастицы Al$_2$O$_3$.

Поступила в редакцию: 16.12.2014
Принята в печать: 25.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 4910:10, 1311–1315

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025