RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1371–1375 (Mi phts7411)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Структура и оптические спектры пропускания напыленных при низких температурах нанокомпозитных пленок ZnS–SiO$_2$

П. Н. Крылов, Р. М. Закирова, И. А. Князев, Н. В. Костенков, Э. А. Романов, И. В. Федотова

Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия

Аннотация: Представлены исследования процессов формирования нанокомпозитных пленок ZnS–SiO$_2$ методом термического дискретного испарения при пониженных температурах конденсации на сверхвысоковакуумной установке. Показано, что нанокомпозитные пленки ZnS–SiO$_2$ содержат аморфную матрицу SiO$_2$ и нанокристаллы сульфида цинка ZnS. Форма и размеры нанокристаллитов зависят от температуры конденсации.

Поступила в редакцию: 26.02.2015
Принята в печать: 11.03.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1327–1331

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025