А. А. Лебедев, С. В. Белов, М. Г. Мынбаева, А. М. Стрельчук, Е. В. Богданова, Ю. Н. Макаров, А. С. Усиков, С. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, В. В. Козловский, “Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10,страницы 1386

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN

А. А. Лебедев^ab, С. В. Белов^a, М. Г. Мынбаева^a, А. М. Стрельчук^a, Е. В. Богданова^a, Ю. Н. Макаров^c, А. С. Усиков^bc, С. Ю. Курин^c, И. С. Бараш^c, А. Д. Роенков^c, В. В. Козловский^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^c ГК "Нитридные кристаллы", 194156 Санкт-Петербург, Россия
^d Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Диоды Шоттки диаметром $\sim$ 10 мкм изготовлены на основе эпитаксиальных пленок $n$-GaN, выращенных хлор-гидридной эпитаксией (HVPE) на сапфировых подложках. Исследованы изменения параметров диодов при облучении протонами с энергией 15 МэВ. Определена скорость удаления носителей, которая составила 130–145 см$^{-1}$. Линейный характер зависимости $N=f(D)$ ($N$ – концентрация носителей, $D$ – доза облучения) показывает, что компенсация связана с переходом электронов с мелких доноров на глубокие уровни, созданные первичными радиационными дефектами.

Поступила в редакцию: 10.03.2015
Принята в печать: 16.03.2015