RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1421–1428 (Mi phts7422)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов

Б. Н. Мукашев, А. А. Бетекбаев, Д. А. Калыгулов, А. А. Павлов, Д. М. Скаков

ТОО "МК "KazSilicon", 041011 Бастобе, Казахстан

Аннотация: Разработаны методы очистки металлургического кремния “Каzsilicon”, производство которого осуществляется карботермическим методом, т. е. путем восстановления высокочистого сарыкольского кварца углеродом. Данные технологии явились основой для создания промышленных производств кремния, солнечных элементов, панелей и фотоэлектрических станций. С использованием этих технологий получен кремний “солнечного” качества, на основе которого изготовлены солнечные элементы с эффективностью 15.8–17.1%. Панели солнечных элементов составили первую в Казахстане солнечную электростанцию “Astana Solar” мощностью 250 кВт, которая был введена в действие 25 декабря 2012 г.

Поступила в редакцию: 20.01.2015
Принята в печать: 25.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1375–1382

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025