Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

Исследованы свойства диэлектрических покрытий SiO$_2$, Al$_2$O$_3$ и AlN, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления. Методом оптической эллипсометрии определены показатели преломления диэлектрических покрытий SiO$_2$, Al$_2$O$_3$, AlN, и показано, что нитрид алюминия является наиболее оптимальным материалом для достижения максимального просветления выходного зеркала полупроводникового лазера. Методом просвечивающей электронной микроскопии в пленках нитрида алюминия зарегистрирована кристаллическая фаза, соответствующая гексагональной атомной решетке, и содержание кислорода до 10 ат%. Установлено, что снижение концентрации остаточного кислорода в рабочей камере установки реактивного ионно-плазменного распыления позволяет исключить возникновение вертикальных пор в толще пленки нитрида алюминия.