А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, “Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11,страницы 1448

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения

А. С. Большаков^a, В. В. Чалдышев^abc, А. В. Бабичев^abd, Д. А. Кудряшов^b, А. С. Гудовских^be, И. А. Морозов^b, М. С. Соболев^b, Е. В. Никитина^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^d ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия
^e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Изготовлена и исследована периодическая брэгговская гетероструктура с тремя сверхтонкими квантовыми ямами InAs/GaAs в периоде. Методом спектроскопии электроотражения и путем численного квантово-механического расчета определено расщепление энергий экситонных переходов в квантовых ямах. Обнаружено существенное влияние интерференционных эффектов на величины отдельных пиков в спектре электроотражения.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015