Сегрегация Sb в Ge эпитаксиальных слоях и ее использование для селективного легирования структур на основе германия

Исследована сегрегация сурьмы в Ge эпитаксиальных слоях, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на Ge(001) подложках. Для диапазона температур роста 180–325$^\circ$C определена температурная зависимость коэффициента сегрегации Sb в Ge, показавшая резкий (более чем на 3 порядка) его рост с увеличением температуры. Сильная зависимость сегрегационных свойств Sb от температуры роста позволила адаптировать для селективного легирования Ge структур донорными примесями метод, основанный на контролируемом использовании сегрегации, ранее развитый для легирования Si структур. С использованием данного метода получены селективно-легированные Ge : Sb структуры, в которых изменение объемной концентрации примеси на порядок происходит на толщинах слоев в 3–5 нм.