Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками

Исследованы спектральные и временны́е характеристики фотолюминесценции, связанной с излучательной рекомбинацией носителей заряда в многослойных структурах SiGe/Si(001) с самоформирующимися Ge(Si) островками. Рассмотрены временны́е зависимости фотолюминесценции Ge(Si) островков в широком интервале времен задержки после импульса накачки при различных уровнях оптического возбуждения. Исследованы спектры возбуждения фотолюминесценции Ge(Si) островков в структурах SiGe/Si(001) в области межзонной и подзонной оптической накачки, соответствующие различным временны́м компонентам в кинетике релаксации фотолюминесценции. Обнаружено существенное различие вида спектров возбуждения для быстрой (0–100 мкс) и медленной (100 мкс–50 мс) компонент сигнала фотолюминесценции островков. Показано, что существенная зависимость вида спектров возбуждения фотолюминесценции Ge(Si)/Si(001) островков от мощности оптической накачки связана с продолжительной диффузией неравновесных носителей заряда из слоев объемного кремния в область Ge(Si)-островков при высоких уровнях возбуждения.