Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Исследовано влияние толщины слоя Ge и условий его отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием двухстадийного роста. Выявлены зависимости плотности прорастающих дислокаций и шероховатости поверхности слоев Ge/Si(001) от толщины слоя Ge, от температуры и времени отжига, а также от наличия атмосферы водорода при отжиге. В результате оптимизации условий роста и отжига получены релаксированные слои Ge/Si(001) толщиной $\le$ 1 мкм с плотностью дислокаций на уровне 10$^7$ см$^{-2}$ и среднеквадратичной шероховатостью поверхности менее 1 нм.