Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN

Описывается метод in situ пассивации структур на основе GaN слоем нитрида кремния в ростовой камере установки металлоорганической газофазной эпитаксии. Исследуются структурные и электрофизические свойства полученных слоев. Проводится сравнение пассивации транзисторных структур нитридом кремния in situ и ex situ в установке электронно-лучевого распыления. Показано, что ex situ пассивация не меняет исходную концентрацию и подвижность носителей в канале. Пассивация in situ позволяет защищать поверхность структуры от неконтролируемых изменений при завершении роста и извлечении в атмосферу. Также в пассивированной in situ структуре происходит увеличение концентрации и уменьшение подвижности носителей. Этот эффект необходимо учитывать при изготовлении пассивированных транзисторных структур на основе GaN.