Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs

В структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры фотолюминесценции и межподзонного поглощения света, положение пиков в которых хорошо согласуется с теоретическим расчетом энергий оптических переходов носителей заряда. Исследовано влияние поперечного электрического поля и температуры на межподзонное поглощение света. Оно обусловлено перераспределением электронов между уровнями размерного квантования и изменением энергетического спектра квантовых ям. Проведена оценка величины изменения показателя преломления в области наблюдаемых межподзонных переходов с использованием соотношений Крамерса–Кронига.