Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN

Оптические резонаторы на основе микрокристаллов InN, в которых возможно существование мод шепчущих галерей низких порядков вплоть до комнатной температуры, были сформированы молекулярно-пучковой эпитаксией на профилированных подложках. Обнаруженное явление переключения типа мод при подъеме температуры объяснено изменением оптических параметров вследствие сдвига и изменения формы края поглощения. Результаты моделирования, проведенного с учетом изменения показателя преломления, воспроизводят характерные распределения интенсивности электромагнитного поля в резонаторах.