RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1489–1491 (Mi phts7434)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Полупроводниковый лазер с туннельным $p$$n$-переходом и выходом излучения через подложку

Д. А. Колпаковa, Б. Н. Звонковa, С. М. Некоркинa, Н. В. Дикареваa, В. Я. Алешкинbc, А. А. Дубиновbc

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950, Нижний Новгород, Россия
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Впервые реализован многоямный межзонный каскадный лазер с туннельным переходом внутри единого волновода и выходом излучения через подложку. Показано, что в лазерной гетероструктуре такой конструкции происходит более эффективное заполнение квантовых ям по сравнению с традиционным многоямным лазером с выходом излучения через подложку, за счет чего достигается существенное снижение порога генерации.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:11, 1440–1442

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025